1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 14А; 3Вт; DFN2x2-6

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 14А; 3Вт; DFN2x2-6
Немає в наявності
Код товару: G2014
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G2014
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: DFN2x2-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: 14А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 806кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В
Резистор: thin film; 806кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В

6,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 27,4кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 27,4кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 1,8мкс; SOD123W; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 1,8мкс; SOD123W; Ufmax: 1,1В

8,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SOD123W
Недоступний
Резистор: thin film; 229кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 229кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,05 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 360мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 360мВт; SOT23

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А

11160,68 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
65В
Струм стока:
6А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8