Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 2,7А; Idm: 18А

Немає в наявності
Код товару: PMV30UN2VL
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: PMV30UN2VL
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: SOT23; TO236AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 2,7А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-412; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-412; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
9,8мм
Висота одвороту:
10мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Недоступний
Датчик: зчитувач штрих-кодів; V430-F; 300мм
Датчик: зчитувач штрих-кодів; V430-F; 300мм

0,00 грн

Властивості датчиків:
wide field of view – 5.2 mm focal length lens
Програмне забезпечення:
High Speed, Plus Mode
Розрішення:
5.0MP
Серія виробника:
V430-F
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 1.5A

726,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 32МГц; I2C,IrDA,PWM,SPI,UART; THT
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 32МГц; I2C,IrDA,PWM,SPI,UART; THT

241,38 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
I2C; IrDA; PWM; SPI; UART
Недоступний
Захисна кришка; ATM; PIN: 2; термопласт; Корпус: сірий
Захисна кришка; ATM; PIN: 2; термопласт; Корпус: сірий

43,08 грн

Застосування роз’ємів:
штекери
Кількість пін:
2
Колір корпусу:
сірий
Матеріал корпусу:
термопласт
Недоступний
Резистор: thin film; 36,5кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм
Резистор: thin film; 36,5кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм

15,14 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±0,1%
Резистор: thin film; 16кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 16кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RT; -55÷155°C

0,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK