Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5,7А; Idm: 36А; ESD

Немає в наявності
Код товару: PMPB10XNEZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMPB10XNEZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: DFN2020MD-6; SOT1220
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 21мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 5,7А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 920Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 920Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

8,81 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 56Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 56Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Комбінезон; Розмір: XL; чорний; Mix&Match; 240г/м2
Комбінезон; Розмір: XL; чорний; Mix&Match; 240г/м2

1601,62 грн

Вага:
240г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
чорний
Матеріал:
бавовна; еластан; поліестер
Недоступний
Резистор: thick film; 31,6кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 31,6кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 39; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 39; SMT; straight

164,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
14,2мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: TVS збірка; 6В; 0,01кВт; SOT26; ролик,cтрічка
Діод: TVS збірка; 6В; 0,01кВт; SOT26; ролик,cтрічка

16,47 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
5,5В
Корпус:
SOT26
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8