Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 6А; 1,3Вт; SOT23; ESD

Немає в наявності
Код товару: G3416
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G3416
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 6А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: FPGA; SMD; FBGA484; Число макровічок: 6060; I/O: 209; лоток
IC: FPGA; SMD; FBGA484; Число макровічок: 6060; I/O: 209; лоток

1020,02 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
209
Корпус:
FBGA484
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,05 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Connector: wire-board; female; data; PIN: 4; 2mm; PBT; Locking: latch
Connector: wire-board; female; data; PIN: 4; 2mm; PBT; Locking: latch

17,68 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: metal film; 165кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 165кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм

9,25 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Connector: wire-board; female; data; POWER; PIN: 5; 3.96mm; straight
Connector: wire-board; female; data; POWER; PIN: 5; 3.96mm; straight

12,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
5
Недоступний
Резистор: thin film; 8,25Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 8,25Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

3,36 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,2пФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6