Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 2,8А; Idm: 15А; ESD

Немає в наявності
Код товару: PMXB56ENZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: PMXB56ENZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,3нКл
Корпус: DFN1010D-3; SOT1215
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 87мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 2,8А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 3A; 250V

114,67 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230/400ВAC
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230/400ВAC

723,52 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61008
Диференціальний струм:
0,1А
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 3A; 250V

48,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Висота:
10,1мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 2,2мкФ; 100ВDC; Ø5x11мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 2,2мкФ; 100ВDC; Ø5x11мм; ±20%

0,58 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 191кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 191кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

6,34 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 11,1÷12,3В; 23,5А; односпрямована; SOD123F
Діод: TVS; 0,4кВт; 11,1÷12,3В; 23,5А; односпрямована; SOD123F

18,37 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
10В
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт

318,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
249нКл
Корпус:
D2PAK-6
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK