Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 370мА; Idm: 2,3А

Немає в наявності
Код товару: PMZB550UNEYL
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: PMZB550UNEYL
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,1нКл
Корпус: DFN1006B-3; SOT883B
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,17Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,37А
Струм стоку в імпульсі: 2,3А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 140Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 140Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Ключ: комбінований; дюймове,двосторонній; 13/16"
Ключ: комбінований; дюймове,двосторонній; 13/16"

643,06 грн

Вид ключа:
двосторонній; дюймове
Розмір ключа - дюйм:
13/16"
Тип ключа:
комбінований
Недоступний
Резистор: thick film; 124кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 124кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thin film; 23,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 23,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Резистор: thin film; 33кОм; 1Вт; SMA; -55÷155°C; 15ppm/°C
Резистор: thin film; 33кОм; 1Вт; SMA; -55÷155°C; 15ppm/°C

41,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
33кОм
Потужність:
1Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; 3A; 250V

14,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,1мм
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 12,9В; 33А; односпрямована; ±5%; DO221AC; TPSMA6L
Діод: TVS; 600Вт; 12,9В; 33А; односпрямована; ±5%; DO221AC; TPSMA6L

26,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
11В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT323