Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 50А; 25,5Вт; DFN5x6-8

Немає в наявності
Код товару: G50N03D5
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G50N03D5
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 38,4нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25,5Вт
Струм стока: 50А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Блок живлення: імпульсний; на рейці DIN; 480Вт; 24ВDC; 20А; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; на рейці DIN; 480Вт; 24ВDC; 20А; OUT: 1

13965,43 грн

Вид блоку живлення:
на рейці DIN
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
20А
Електричне під'єднування:
затискна рейка
Недоступний
Patch cord; Cat 5; RJ45 вилка,з обох сторін; 10м; тросик; Cu; ПВХ
Patch cord; Cat 5; RJ45 вилка,з обох сторін; 10м; тросик; Cu; ПВХ

5143,82 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Резистор: thick film; 680Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт
Резистор: thick film; 680Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт

1,12 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD