1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 600мА; Idm: 4А; ESD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 600мА; Idm: 4А; ESD
Немає в наявності
Код товару: PMZ390UN,315
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: PMZ390UN,315
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,3нКл
Корпус: DFN1006-3; SOT883
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 790мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,6А
Струм стоку в імпульсі: 4А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 1,5кВ; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 1,5кВ; X7R; ±10%; SMD; 2220

63,99 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 9,1кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; TC; 25В; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 9,1кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; TC; 25В; 50ppm/°C

0,40 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 50В; 1А; Ifsm: 30А; DO204AL,DO41; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; THT; 50В; 1А; Ifsm: 30А; DO204AL,DO41; Ufmax: 1,1В

2,54 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Зворотна напруга макс.:
50В
Корпус:
DO41; DO204AL
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В

4,05 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель; 0,045м; AMC "мама",з обох сторін; кутовий; 50Ом
Кабель; 0,045м; AMC "мама",з обох сторін; кутовий; 50Ом

316,78 грн

Вид кабелю:
1.13 mm Micro-cable
Довжина кабелю:
45мм
Імпеданс:
50Ом
Конструкція кабелю/переходу:
AMC "мама"; з обох сторін
Резистор: thin film; 0805; 125мВт,200мВт,260мВт; ±0,1%; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 0805; 125мВт,200мВт,260мВт; ±0,1%; 25ppm/°C

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Перемикач: ножний; Фікс.поз: 2; NC + NO; 3A/250ВAC; IP65; -5÷60°C
Перемикач: ножний; Фікс.поз: 2; NC + NO; 3A/250ВAC; IP65; -5÷60°C

3461,74 грн

Властивості перемикачів:
із зах. кришкою для стопи
Зовнішні розміри:
136x152x240мм
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP65
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8