Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 6А; 1,2Вт; SOT23-6

Немає в наявності
Код товару: G3404LL
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G3404LL
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 12,2нКл
Корпус: SOT23-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 6А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель; Jack 3,5мм 3pin вилка,Jack 3,5мм 3pin вилка кутова; 3м
Кабель; Jack 3,5мм 3pin вилка,Jack 3,5мм 3pin вилка кутова; 3м

249,62 грн

Вид жили:
Cu
Властивості з’єднувального кабелю:
плоский кабель
Довжина кабелю:
3м
Зовнішні розміри проводу:
3,8x1,6мм
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Суперконденсатор; THT; 5Ф; 3,9ВDC; -10÷30%; 11x21,3x32,5мм; 70мОм
Суперконденсатор; THT; 5Ф; 3,9ВDC; -10÷30%; 11x21,3x32,5мм; 70мОм

613,91 грн

Допуск:
-10...30%
Ємність:
5Ф
Монтаж:
THT
Опір ESR:
70мОм
Недоступний
Потенціометр: монтажний; 4,7кОм; однообертовий; горизонтальний
Потенціометр: монтажний; 4,7кОм; однообертовий; горизонтальний

0,00 грн

Вид потенціометра:
однообертовий
Допуск:
±20%
Кут обертання електричний:
240°
Кут обертання механічний:
265°
Недоступний
Резистор: thin film; 115Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 115Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 23; THT; angled; 1x23
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 23; THT; angled; 1x23

20,91 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
7,4мм
Електричний монтаж:
THT
Конденсатор: поліпропиленовий; 18нФ; 630ВDC; 12x5,9x10,8мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; 18нФ; 630ВDC; 12x5,9x10,8мм; THT

4,82 грн

Діаметр виводів:
0,6мм
Довжина відводів:
25мм
Допуск:
±10%
Ємність:
18нФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK