Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 90А; 53,4Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: G80N03T
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G80N03T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 53,4Вт
Струм стока: 90А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CRGCQ
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CRGCQ

0,85 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

3,05 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 10А; 300В
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; 10А; 300В

35,73 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Кількість пін:
3
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
чорний
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 3A/250ВAC; з важелем; SPDT; ON-(ON)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 3A/250ВAC; з важелем; SPDT; ON-(ON)

30,41 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем
Довжина важеля:
17,5мм
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 2,8кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 2,8кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 619кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 619кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 600мА
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 600мА

720,35 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,6А
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Захист:
перегрівання OTP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD