Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 110А; 160Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: G070N06TH
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G070N06TH
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 74нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 160Вт
Струм стока: 110А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 1206; 333мВт; ±1%; SR73; -55÷150°C
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 1206; 333мВт; ±1%; SR73; -55÷150°C

2,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 62кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 24ВDC; 4PDT; 15А; 7A/250ВAC; 7A/24ВDC
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 24ВDC; 4PDT; 15А; 7A/250ВAC; 7A/24ВDC

1188,55 грн

Виводи:
клемми push-in
Електрична стійкість:
150000 цикли
Зовнішні розміри:
98,9x31x82,7мм
Конфігурація контактів:
4PDT
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; SG73P; 200В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; SG73P; 200В

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thin film; 6,19кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 6,19кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 1,17кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 1,17кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X6S; ±10%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X6S; ±10%; SMD; 0402; 180мм

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

392,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; 417Вт; TO247

630,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 21А; TO247; автомобільна галузь

629,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 26,4А; 38Вт; TO220FP

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 5А

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,63А; 30Вт; I2PAK; ESD

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
I2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 170А; 189Вт; TO220AB

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT