1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 110А; 160Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 110А; 160Вт; TO252
Немає в наявності
Код товару: G110N06K
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G110N06K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 122нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 160Вт
Струм стока: 110А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 96,5Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 96,5Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 1,8кВ; If: 127А; Ifsm: 1,2кА
Випрямний міст: трифазний; Urmax: 1,8кВ; If: 127А; Ifsm: 1,2кА

2678,67 грн

Виводи:
гвинти М6
Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 402Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

7,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Кінцевий датчик; NO + NC; 6А; макс.400ВAC; макс.220ВDC; M20; IP66
Кінцевий датчик; NO + NC; 6А; макс.400ВAC; макс.220ВDC; M20; IP66

4981,00 грн

Вид головки:
регульований пластиковий стрижень довжиною 150мм
Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
Діод: варикап; 10В; SOD523; одиночний діод; ролик,cтрічка
Діод: варикап; 10В; SOD523; одиночний діод; ролик,cтрічка

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
RF
Ємність:
6...29,5пФ
Зворотна напруга макс.:
10В
Недоступний
Резистор: thin film; 162Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 162Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

8,81 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 9,31кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 9,31кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 42А; 236Вт

254,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 80В; 118А; PowerPAK® SO8

34,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK