Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 12А; 3Вт; SOP8

Name: Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 12А; 3Вт; SOP8
Brand: GOFORD SEMICONDUCTOR
SKU: GT110N06SH
Price: 42.45 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: GT110N06SH

42,45 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

GT110N06SH

Виробник:

GOFORD SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

17нКл

Корпус:

SOP8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60В

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3Вт

Струм стока:

12А

Технологія:

Trench

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT89

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
75нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
18,5нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Заряд затвора:
4нКл

Корпус:
PG-SOT223

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
124нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
18нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
25нКл

Корпус:
DFN3x3 EP

Монтаж:
SMD