Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 35А; 44Вт; TO220F

Немає в наявності
Код товару: G58N06F
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G58N06F
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: TO220F
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44Вт
Струм стока: 35А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 51пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 51пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 12А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 12А

369,36 грн

Зовнішні розміри:
21x36x28мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
12А
Монтаж:
підставка
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1812

6,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; SMT; straight

107,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,4мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 18ВDC; SPST-NO; 50А; 50A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 18ВDC; SPST-NO; 50А; 50A/250ВAC

138,11 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
50000 цикли
Зовнішні розміри:
30,1x15,7x23,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 18нГн; 450мА; R: 0,18Ом; ±5%
Реактор: феритовий; SMD; 1210; 18нГн; 450мА; R: 0,18Ом; ±5%

5,20 грн

Високосортність:
21
Допуск:
±5%
Індуктивність:
18нГн
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт

1270,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 85В; 125А; Idm: 500А; 162Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 85В; 125А; Idm: 500А; 162Вт; TO220-3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 104Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 104Вт; TO220-3

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А; 93Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А; 93Вт; TO220-3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 40А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 40А; 35Вт; TO220FP

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 100А; Idm: 260А; 600Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 100А; Idm: 260А; 600Вт

3659,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
45нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 62Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 62Вт

199,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT