Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NSF080120L3A0Q
1270,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NSF080120L3A0Q
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 52нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -10...22В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 183Вт
Струм стока: 25А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

4,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2нФ
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 200В; 2А; Ifsm: 50А; SOD57; Ammo Pack; 4мкс
Діод: випрямний; THT; 200В; 2А; Ifsm: 50А; SOD57; Ammo Pack; 4мкс

12,67 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; явище лавинного пробою
Ємність:
40пФ
Зворотна напруга макс.:
200В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
68пФ
Недоступний
Провід; Y-CY-JZ; Y-CY-JZ; 25G1мм2; ПВХ; прозорий; 300В,500В
Провід; Y-CY-JZ; Y-CY-JZ; 25G1мм2; ПВХ; прозорий; 300В,500В

810,32 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
Y-CY-JZ
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® 440 CP; 5G1мм2; PUR; сірий; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® 440 CP; 5G1мм2; PUR; сірий; 300В,500В

732,39 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я; що самогаситься
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,93 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
10Ом
Tap: metric; M4; 0.7; L: 63mm; Holder: machine; 3.4mm; ISO2/6H
Tap: metric; M4; 0.7; L: 63mm; Holder: machine; 3.4mm; ISO2/6H

575,90 грн

Type of tap:
метрична
Вид рукоятки:
машина
Використання інструментів:
для крізних отворів; нержавіюча сталь
Відповідність стандарту:
DIN 371
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8,1А; Idm: 52А; 51Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8,1А; Idm: 52А; 51Вт; TO220F

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 45А; Idm: 90А; 240Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 45А; Idm: 90А; 240Вт

535,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
HIP247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 48А; 110Вт; I2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 48А; 110Вт; I2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
I2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247

463,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
74нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 105А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 105А; Idm: 320А

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 36А; 77Вт; FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 36А; 77Вт; FTO-220AG (SC91)

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)