Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 3А; Idm: 19А

Немає в наявності
Код товару: PMN40SNAX
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMN40SNAX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: SC74; SOT457; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 76мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 3А
Струм стоку в імпульсі: 19А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Модуль автоматики: регулятор; температура; -1999÷9999; SPST-NO
Модуль автоматики: регулятор; температура; -1999÷9999; SPST-NO

21106,84 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вид виходу 1:
SPST-NO
Вид входу 2:
CT (з трансформатора струму); контактні
Недоступний
IC: цифровий; інвертор; NOT; Ch: 6; CMOS; SMD; DHXQFN14; 1,2÷3,6ВDC
IC: цифровий; інвертор; NOT; Ch: 6; CMOS; SMD; DHXQFN14; 1,2÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид затвору:
NOT
Вид об'єднаної схеми:
інвертор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; Idm: 43А; 156Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; Idm: 43А; 156Вт; TO220AB

232,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO220AB
Недоступний
Провід; Alpha Essential Data&Bus; 1x2x22AWG; Cu; тросик; ПВХ; 305м
Провід; Alpha Essential Data&Bus; 1x2x22AWG; Cu; тросик; ПВХ; 305м

45141,97 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 31,1÷34,4В; 8,8А; односпрямована; SOD123F
Діод: TVS; 0,4кВт; 31,1÷34,4В; 8,8А; односпрямована; SOD123F

4,56 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
28В
Корпус:
SOD123F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD