Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 9А; 2,6Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: G130N06S
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G130N06S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 67нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,6Вт
Струм стока: 9А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 12мкГн; ±20%; V; 13,5x12,5x6,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 12мкГн; ±20%; V; 13,5x12,5x6,2мм

29,33 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
12мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
13,5x12,5x6,2мм
Недоступний
Зчеплення; Ø: 40мм; Ø1: 14мм; Ø2: 14мм; алюміній
Зчеплення; Ø: 40мм; Ø1: 14мм; Ø2: 14мм; алюміній

4667,39 грн

Діаметр:
40мм
Діаметр монтажного отвору 1:
14мм
Діаметр монтажного отвору 2:
14мм
Матеріал:
алюміній
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0603

1,84 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; М8 прямий "мама",з обох сторін
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 4; М8 прямий "мама",з обох сторін

1205,65 грн

Довжина кабелю:
10м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thin film; 252кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 252кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 178Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 178Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 50В; X7S; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 50В; X7S; ±10%; SMD; 1210

4,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD