Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 80В; 1,2А; Idm: 7,6А; 1,6Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 80В; 1,2А; Idm: 7,6А; 1,6Вт
Brand: NEXPERIA
SKU: PMPB215ENEA/FX
Price: 39.91 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: PMPB215ENEA/FX

39,91 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

PMPB215ENEA/FX

Виробник:

NEXPERIA

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

7,2нКл

Корпус:

DFN2020MD-6; SOT1220

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

80В

Опір в стані провідності:

445мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,6Вт

Струм стока:

1,2А

Струм стоку в імпульсі:

7,6А

Технологія:

Trench

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-25В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
8,6нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
DPAK

Бажані

20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
37нКл

Корпус:
U-DFN2030-6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD