Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 24А; 45Вт; PowerPAK® SO8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SQJ850EP-T1_GE3
55,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ850EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Потужність розсіювання: 45Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 24А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
6,8нФ
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 1А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 1А

38,65 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Резистор: thin film; 91кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 91кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 220мкФ; 6,3ВDC; 1850мА; SMD
Конденсатор: танталово-полімерний; 220мкФ; 6,3ВDC; 1850мА; SMD

0,00 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Імпеданс:
40мОм
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 18,2Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 18,2Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 113Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 113Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Connector: wire-board; male; data; Inom: 8.5A; 250V; PIN: 20; 3mm
Connector: wire-board; male; data; Inom: 8.5A; 250V; PIN: 20; 3mm

205,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
20
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 360мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 360мВт; SOT23

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А

11160,68 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
65В
Струм стока:
6А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8