Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 1,78А; Idm: 8А

Немає в наявності
Код товару: SI3122DV-T1-GE3
9,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI3122DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 2,9нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,34Вт
Струм стока: 1,78А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 2м; вилка; 30ВDC; 4А; 1200; PUR; IP67
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 2м; вилка; 30ВDC; 4А; 1200; PUR; IP67

1254,44 грн

Довжина кабелю:
2м
Індикація:
LED
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 324кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 324кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Кабель: до датчиків; PIN: 4; вилка; IP68; автоматика; Колір: чорний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; вилка; IP68; автоматика; Колір: чорний

5058,93 грн

Довжина проводу:
2м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP68
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А

154,59 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
15x7,4x8,4мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Кристал; 18пФ; SMD; ESR: 40Ом; 20МГц; Стаб.част: ±50ppm; -20÷70°C
Кристал; 18пФ; SMD; ESR: 40Ом; 20МГц; Стаб.част: ±50ppm; -20÷70°C

14,76 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
40Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6