Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 11,3А; Idm: 15А

Немає в наявності
Код товару: SIA416DJ-T1-GE3
15,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA416DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 83мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12Вт
Струм стока: 11,3А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 27мм; 3/4"; довга
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 27мм; 3/4"; довга

798,28 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Довжина насадки:
90мм
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Модель:
довга
Недоступний
Резистор: thick film; 750кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 750кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 100мкФ; 6,3ВDC; 950мА; SMD
Конденсатор: танталово-полімерний; 100мкФ; 6,3ВDC; 950мА; SMD

74,13 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Імпеданс:
70мОм
Монтаж:
SMD
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 750А; Iвих: 5А; 0,2S@max5ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 750А; Iвих: 5А; 0,2S@max5ВА; 50÷60Гц

4318,94 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
750А
Діаметр внутрішній:
54мм
Недоступний
Резистор: thin film; 30кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 30кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 50ppm/°C

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 25pin,D-Sub HD 44pin; DTZK
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 25pin,D-Sub HD 44pin; DTZK

319,94 грн

Діаметр проводу макс.:
11,5мм
Застосування роз’ємів:
D-Sub 25pin; D-Sub HD 44pin
Корпус:
розмір 3 (DB)
Матеріал корпусу:
метал
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; 2,7÷12ВDC; SOT23-5; 1,5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; 2,7÷12ВDC; SOT23-5; 1,5мВ

46,25 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,5мВ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 45А; Idm: 159А; 303Вт

1202,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
137нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 72А; Idm: 288А; 217Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323F
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 110А; Idm: 400А; 42Вт; QFN5x6

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,2нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 28А; 2Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
12,3нКл
Корпус:
SOP8