Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 24А; Idm: 170А

Немає в наявності
Код товару: SQJ488EP-T1_BE3
37,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ488EP-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 21мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 170А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: PMIC; контролер CV/CC; SOT26; -0,3÷18В; SMPS; 0,5мА; 2,5÷18ВDC
IC: PMIC; контролер CV/CC; SOT26; -0,3÷18В; SMPS; 0,5мА; 2,5÷18ВDC

4,31 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер CV/CC
Використання:
SMPS
Вхідна напруга:
-0,3...18В
Корпус:
SOT26
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 3A; 250V

57,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
13,4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 50В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

0,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
4пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 16ВDC; Ø6,3x5,8мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 47мкФ; 16ВDC; Ø6,3x5,8мм; ±20%

7,10 грн

Висота:
5,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
підвищена температура пайки
Діаметр:
6,3мм
Недоступний
Тримач; втискуваний; поліамід; UL94V-2; натуральний; L: 28,6мм
Тримач; втискуваний; поліамід; UL94V-2; натуральний; L: 28,6мм

9,44 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
монтаж кабельних стягувань
Довжина:
28,6мм
Клас горючості:
UL94V-2
Колір корпусу:
натуральний
Недоступний
Резистор: thin film; 316Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 316Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: automotive; AT; на PCB; Блокування: защіпка
Роз’єм: automotive; AT; на PCB; Блокування: защіпка

134,95 грн

Механічний монтаж:
на PCB
Робоча температура:
-55...125°C
Серія виробника:
AT
Система блокування:
защіпка
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD