Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 30А; Idm: 60А

Немає в наявності
Код товару: SIS890DN-T1-GE3
37,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIS890DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 29нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 23,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; THT; 4,7мкФ; 50ВDC; Растр: 2мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 4,7мкФ; 50ВDC; Растр: 2мм; ±20%

12,80 грн

Виводи:
радіальні
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 17,8кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 17,8кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,57 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
17,8кОм
Недоступний
Маркер: кабельний; Маркування: H; 4,5÷6мм; POM; білий; PLIOSNAP
Маркер: кабельний; Маркування: H; 4,5÷6мм; POM; білий; PLIOSNAP

1618,10 грн

Зовнішній діаметр проводу:
4,5...6мм
Клас горючості:
UL94HB
Колір:
білий
Колір друкованого знаку:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Адаптер; ElectricVario; 6мм; макс.2,5Нм; 10%; 1кВAC
Адаптер; ElectricVario; 6мм; макс.2,5Нм; 10%; 1кВAC

2048,91 грн

Type of screwdriver accessories:
адаптер
Вид рукоятки:
шестикутний
Вид упаковки:
блістер
Відповідність стандарту:
EN ISO 6789; IEC 60900
Недоступний
Резистор: thick film; 7,15кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 7,15кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: полімерний; low ESR; H: 10мм; 1500мкФ; 6,3ВDC; 5025мА
Конденсатор: полімерний; low ESR; H: 10мм; 1500мкФ; 6,3ВDC; 5025мА

40,55 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO263

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 220А; PDFN5060-8

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PDFN5060-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 25,5А; Idm: 168А; 30,4Вт

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23,7нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 12,6А; Idm: 80А; 59,5Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт; TO263

63,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 14,5А; Idm: 58А; 66Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
TO252