Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 32,6А; Idm: 70А

Немає в наявності
Код товару: SISS5112DN-T1-GE3
35,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SISS5112DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 14,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 52Вт
Струм стока: 32,6А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 5,6мФ; 16ВDC; Ø18x35мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 5,6мФ; 16ВDC; Ø18x35мм

94,40 грн

Виводи:
радіальні
Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
35мм
Діаметр:
18мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,6Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,6Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,65x0,95x0,5мм
Радіатор: штампований; ребристий; L: 100мм; W: 150мм; H: 15мм
Радіатор: штампований; ребристий; L: 100мм; W: 150мм; H: 15мм

290,17 грн

Висота:
15мм
Довжина:
0,1м
Матеріал:
алюміній
Тепловий опір:
2,1К/Вт
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 1,5В; 0,15А; SMD
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 1,5В; 0,15А; SMD

36,62 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,5В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Резистор: thick film; 1,4кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,4кОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Роз’єм: провід-провід; штекерний,гніздовий; Iном: 14А; 60В; PIN: 16
Роз’єм: провід-провід; штекерний,гніздовий; Iном: 14А; 60В; PIN: 16

276,23 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
16
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 4,99Ом; SMD; 1206; 125мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 4,99Ом; SMD; 1206; 125мВт; ±1%; CQ; 200В

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 360мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 360мВт; SOT23

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А

11160,68 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
65В
Струм стока:
6А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 30В; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8