Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 35А; Idm: 212А

Немає в наявності
Код товару: SQJQ116EL-T1_GE3
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJQ116EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 91Вт
Струм стока: 35А
Струм стоку в імпульсі: 212А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Кримпер: кабельних наконечників; неізольовані наконечники
Кримпер: кабельних наконечників; неізольовані наконечники

70389,72 грн

Властивості інструментів для обробки кінцівок:
правильність затискання забезпечує спеціальний заскочко вий механізм, що забезпечує відкриття інструменту після виконання повного циклу затискання
Застосування інструментів для обробки кінцівок:
з'єднувальні неізольовані втулки; неізольовані наконечники
Розмір проводу:
16AWG...14AWG; 22AWG...16AWG
Тип кримпера:
кабельних наконечників
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 100нФ; 250ВDC; 160ВAC; 5x11x13мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 100нФ; 250ВDC; 160ВAC; 5x11x13мм

20,27 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Резистор: metal film; 430мОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові
Резистор: metal film; 430мОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові

2,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,6мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 13Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 13Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

2,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
ROCKER; DPST; Поз: 2; ON-OFF; 10A/125ВAC; прозорий; RRA; UL94V-2
ROCKER; DPST; Поз: 2; ON-OFF; 10A/125ВAC; прозорий; RRA; UL94V-2

67,79 грн

Виводи:
конектори
Висота кнопки:
6,1мм
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 1,82Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,82Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,88 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6