Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 44,7А; Idm: 120А

Немає в наявності
Код товару: SIR5108DP-T1-RE3
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR5108DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11,2нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 10,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65,7Вт
Струм стока: 44,7А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; NQ; 50В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN20; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 28кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; UQFN20; PIC16

73,49 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x4; CLC x4; CWG x2; NCO; PMD; PoR; PPS
Генератор вбудований:
32кГц; 32МГц
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x20мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 91,62м3/г
Вентилятор: DC; 80x80x20мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 91,62м3/г

0,00 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення

395,97 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
14,7мм
Довжина:
29,1мм
Електричний монтаж:
push-in
Connector: pin strips; male; data; PIN: 3; soldering,THT; Inom: 5A
Connector: pin strips; male; data; PIN: 3; soldering,THT; Inom: 5A

41,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
3,2мм
Електричний монтаж:
THT; паяння
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 350мА; Iмакс: 40А; ролик,cтрічка
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 350мА; Iмакс: 40А; ролик,cтрічка

14,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Застосування запобіжників:
електронні додатки
Максимальна напруга:
72В; 90В
Максимальний струм:
40А
Недоступний
Резистор: thick film; 15,4кОм; SMD; 1225; 3Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15,4кОм; SMD; 1225; 3Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,97 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK