Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 73А; Idm: 480А

Немає в наявності
Код товару: SQM120N10-09_GE3
106,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SQM120N10-09_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 7,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: 73А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Реактор: феритовий; SMD; 22мкГн; 0,8А; R: 391мОм; ±20%; VLCF
Реактор: феритовий; SMD; 22мкГн; 0,8А; R: 391мОм; ±20%; VLCF

30,41 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
391мОм
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,5÷5,5ВDC; Uвих: 0,6÷5,5ВDC; 0,55А
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,5÷5,5ВDC; Uвих: 0,6÷5,5ВDC; 0,55А

169,79 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
ролик
Вихідна напруга:
0,6...5,5В DC
Вихідний струм:
0,55А
Недоступний
Кристал; 16МГц; SMD; 5x3,2x0,9мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm; -40÷85°C
Кристал; 16МГц; SMD; 5x3,2x0,9мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm; -40÷85°C

19,70 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD