Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 80,7А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SIR512DP-T1-RE3
60,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR512DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30,5нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 96,2Вт
Струм стока: 80,7А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 6; SEK; angled; 1A; THT; 2x3
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 6; SEK; angled; 1A; THT; 2x3

72,23 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
SEK-18 SV MA STD ANG29 06P PLS4
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,9мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,1Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 1,1Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 12А; 12A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 12А; 12A/250ВAC

78,56 грн

Виводи:
до лютування
Кількість пін:
4
Кількість режмів роботи:
1
Конструкція:
одна обмотка
Недоступний
Діод: зенера; 0,35Вт; 22В; SMD; SOT23; одиночний діод
Діод: зенера; 0,35Вт; 22В; SMD; SOT23; одиночний діод

1,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
22В
Корпус:
SOT23
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206

3,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; Ufmax: 1,1В; If: 8А; MP-8
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; Ufmax: 1,1В; If: 8А; MP-8

41,81 грн

Виводи:
дріт Ø1,3мм
Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; пластиковий корпус з радіатором
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD