Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 98А; Idm: 224А

Немає в наявності
Код товару: SQJ110EP-T1_GE3
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ110EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Струм стока: 98А
Струм стоку в імпульсі: 224А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 27кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 27кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

3,67 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 3,92кОм; SMD; 0603; ±1%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,92кОм; SMD; 0603; ±1%; 75В; 0,1мм; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3,3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1А
Перетворювач: DC/DC; 3,3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1А

1019,39 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x12,7мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 66нФ; 1,5кВ; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 66нФ; 1,5кВ; X7R; ±10%; SMD; 1812

93,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
66нФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 35; THT; angled; 1x35
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 35; THT; angled; 1x35

62,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
18,9мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 287кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 287кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
287кОм
Резистор: дротяний; 24Ом; високовольтний; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ø: 5мм
Резистор: дротяний; 24Ом; високовольтний; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ø: 5мм

5,45 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
високовольтний
Діаметр:
5мм
Довжина:
12мм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD