Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 138А; Idm: 500А

Немає в наявності
Код товару: SIJH5700E-T1-GE3
188,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SIJH5700E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 93нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 4,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 333Вт
Струм стока: 138А
Струм стоку в імпульсі: 500А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Перемикач: подвійний; 22мм; Фікс.поз: 1; червоний/зелений; IP66
Перемикач: подвійний; 22мм; Фікс.поз: 1; червоний/зелений; IP66

1308,29 грн

Властивості перемикачів:
без символу
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 10А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 10А

266,09 грн

Alias:
S2L 3.50/22/180F 3.5SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
17,7мм
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 4,7мкФ; 35ВDC; B; 1311
Конденсатор: танталово-полімерний; low ESR; 4,7мкФ; 35ВDC; B; 1311

112,77 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 12,4кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 12,4кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА; SMD
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА; SMD

741,89 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
LED; УФ; 15°; 10÷20мА; P: 20мВт; λd: 392,5÷397,5нм; 2,9÷3,5ВDC; THT
LED; УФ; 15°; 10÷20мА; P: 20мВт; λd: 392,5÷397,5нм; 2,9÷3,5ВDC; THT

84,90 грн

Властивості діодів LED:
вбудований діод Зенера
Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
392,5...397,5нм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
2,8пФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6