1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 15А; Idm: 25А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 15А; Idm: 25А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SUD15N15-95-E3
182,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SUD15N15-95-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 0,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 200пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603

0,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 50В; X8R; ±20%; SMD; 1206

8,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: гибридний; H: 11,7мм; 150мкФ; 25ВDC; 3,5А; THT; ZA-A
Конденсатор: гибридний; H: 11,7мм; 150мкФ; 25ВDC; 3,5А; THT; ZA-A

29,14 грн

Висота:
11,7мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
висока довговічність; підвищена температура пайки
Діаметр:
10мм
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±1%; 200В
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±1%; 200В

4,43 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40В; 180А; Idm: 720А; 188Вт
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40В; 180А; Idm: 720А; 188Вт

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 2А; 60Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 2А; 60Вт

20,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 29А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 29А; 167Вт

216,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 141А; 113Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 141А; 113Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
47нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 4А; Idm: 10А; 60Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 4А; Idm: 10А; 60Вт

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
14нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
40нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD