Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 3,7А; Idm: 25А

Немає в наявності
Код товару: SI4848DY-T1-E3
108,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4848DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 95мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: 3,7А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 365Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 365Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 2700мкФ; 16ВDC; Ø16x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 2700мкФ; 16ВDC; Ø16x20мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Ємність:
2,7мФ
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0402; 125мВт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0402; 125мВт; ±1%; CRGP

0,78 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 237Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 237Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 1мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 100мА
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 1мм; 10÷30ВDC; M8; IP67; 100мА

2339,08 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
1мм
Загальна довжина:
40мм
Кількість пін:
3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Connector: wire-board; plug; male; data; XA; Inom: 3A; 250V; PIN: 12
Connector: wire-board; plug; male; data; XA; Inom: 3A; 250V; PIN: 12

15,40 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
12
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD