Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 53,7А; Idm: 100А

Немає в наявності
Код товару: SIR872ADP-T1-GE3
60,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR872ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 47нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 18мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 66,6Вт
Струм стока: 53,7А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 6ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 6ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А

8204,52 грн

Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
1А
Матеріал контакту:
AgPd
Модель реле:
сигнальне
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
820пФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 5; 1м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR; IP67
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 5; 1м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR; IP67

943,36 грн

Довжина кабелю:
1м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; TSSOP14; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер MSP430; TSSOP14; I2C,JTAG,SPI; 1,8÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI
Кількість каналів PWM:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206

5,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,8В; DO35; 1мкА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 6,8В; DO35; 1мкА; Ufmax: 1,1В

430,82 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
6,8В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V

126,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK