1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 33,1А; Idm: 80А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 33,1А; Idm: 80А
Немає в наявності
Код товару: SIDR610EP-T1-RE3
116,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIDR610EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 23,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 33,1А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 200А; Iвих: 1А; Клас: 1; Øвнутр: 41мм
Трансформатор: струмовий; Iвх: 200А; Iвих: 1А; Клас: 1; Øвнутр: 41мм

2775,60 грн

Вихідний струм:
1А
Відповідність стандарту:
EN 61869-2
Вхідний струм:
200А
Діаметр внутрішній:
41мм
Недоступний
Резистор: thick film; 30,9кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 30,9кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Симістор; 200В; 1А; Igt: 3/5мА; SOT223; ролик,cтрічка; Ifsm: 8А
Симістор; 200В; 1А; Igt: 3/5мА; SOT223; ролик,cтрічка; Ifsm: 8А

6,34 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Зворотна напруга макс.:
200В
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 400В; 16А; Ifsm: 125А; ITO220AB; Ufmax: 1,3В
Діод: випрямний; THT; 400В; 16А; Ifsm: 125А; ITO220AB; Ufmax: 1,3В

62,09 грн

Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
ITO220AB
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,3В
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 2мкФ; 250В; 25x15,5x11мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 2мкФ; 250В; 25x15,5x11мм; THT

4,75 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±10%
Ємність:
2мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 6,98кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 6,98кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 85А; 104Вт; PQFN5X6

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
PQFN5X6