Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 169А; Idm: 300А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SISS80DN-T1-GE3
129,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISS80DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 122нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -8...12В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 169А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: wire-board; male; data; Inom: 8.5A; 600V; PIN: 10; 3mm
Connector: wire-board; male; data; Inom: 8.5A; 600V; PIN: 10; 3mm

129,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT; паяння
Кількість пін:
10
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±0,5%; ERJH3QD
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±0,5%; ERJH3QD

5,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 35,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 35,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X6S; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X6S; ±10%; SMD; 0805

4,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 53кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 53кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В

3,17 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: automotive; гніздо; штекерний; AT; 13А; 250В; PIN: 18; THT
Роз’єм: automotive; гніздо; штекерний; AT; 13А; 250В; PIN: 18; THT

1196,15 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
18
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thin film; 16,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 16,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD