Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 2,1А; Idm: 10А

Немає в наявності
Код товару: SI2302CDS-T1-E3
12,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI2302CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 3,5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 57мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,86Вт
Струм стока: 2,1А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
LED; 7,8мм; зелений; 18000÷22000мкд; 30°; Голівка: опукла
LED; 7,8мм; зелений; 18000÷22000мкд; 30°; Голівка: опукла

49,42 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
7,8мм
Довжина хвилі λd:
520...530нм
Кількість виводів:
2
Вентилятор: AC; 280x280x80мм; осьовий; 1835м3/г; кульковий; IP44
Вентилятор: AC; 280x280x80мм; осьовий; 1835м3/г; кульковий; IP44

11599,10 грн

Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Клас герметичності:
IP44
Продуктивність вентиляторів:
1835м3/г
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 150мА; R: 2,1Ом; -20÷50%; DTS-12.5; 230ВAC
Реактор: дротяний; THT; 150мА; R: 2,1Ом; -20÷50%; DTS-12.5; 230ВAC

117,21 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Допуск:
-20...50%
Застосування реакторів:
гасіння вищих гармонік; імпульсні блоки живлення; фільтри EMI/RFI; як перешкодоподавляючі елементи
Індуктивність одинарної обмотки:
22мГн
Недоступний
Резистор: thick film; 118Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 118Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 402кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 402кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Резистор: thick film; 75Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 75Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В; -55÷125°C

0,14 грн

Допуск:
±2%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 34; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 34; SMT; straight

128,61 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
15,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD