1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 2,1А; Idm: 10А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 2,1А; Idm: 10А
Немає в наявності
Код товару: SI2302CDS-T1-BE3
12,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI2302CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 3,5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 57мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,86Вт
Струм стока: 2,1А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 12,4кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 12,4кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

35,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thin film; 30Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 30Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,45 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 36,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 36,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; CQ; 150В

0,11 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Кінцевий датчик; NC x2; 5А; макс.240ВAC; макс.24ВDC; M20; IP66
Кінцевий датчик; NC x2; 5А; макс.240ВAC; макс.24ВDC; M20; IP66

2174,36 грн

Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP66
Конфігурація виходу:
NC x2
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; THT; 35Вт; ±5%; 10,16x15x4,6мм
Резистор: thick film; 33Ом; THT; 35Вт; ±5%; 10,16x15x4,6мм

331,35 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
33Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 787кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 787кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,05 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 51А; 54Вт; DPAK

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
11,1нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 400мВт; SOT23

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,3А; 300мВт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; DPAK

97,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,21А; Idm: 8А; 44Вт; TO252

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13,2нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; ESD

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70; SOT323
Модель:
ESD