1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 2,6А; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 2,6А; SOT23
Немає в наявності
Код товару: SI2302HDS-T1-GE3
3,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI2302HDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 57мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 2,6А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; тросик; Cu; 26AWG; PFA; синій; 600В; 152м; 1x26AWG
Провід; тросик; Cu; 26AWG; PFA; синій; 600В; 152м; 1x26AWG

13703,77 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вміст упаковки:
152м
Вміст упаковки - футів:
500футів
Недоступний
Резистор: thin film; 88,7кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 88,7кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

7,03 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,4А; H: 3мм
Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; ±20%; 7,3x6,8x3мм; 4,4А; H: 3мм

33,45 грн

Висота:
3мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Недоступний
Резистор: thick film; 130кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 130кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

1,09 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 5,23Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 5,23Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
5,23Ом
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

3,66 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Трансформатор: мережевий; 40ВА; 230ВAC,400ВAC; 24В; на шину DIN
Трансформатор: мережевий; 40ВА; 230ВAC,400ВAC; 24В; на шину DIN

2662,83 грн

Виводи:
затискна планка
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6
Вторинна напруга 1:
24В
Додаткові функції:
відгалуження первинної обмотки ±15 В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD