Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 7,9А; Idm: 20А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI3460DDV-T1-GE3
33,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI3460DDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 28мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,7Вт
Струм стока: 7,9А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,85 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
33нФ
Недоступний
Поглинач вологи; ESD; 70x60мм; 750шт; 10г
Поглинач вологи; ESD; 70x60мм; 750шт; 10г

4834,65 грн

Відповідність стандарту:
MIL-D-3464 E
Кількість в наборі/упаковці:
750шт.
Маса нетто:
10г
Модель:
ESD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0402

6,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: шунт; 1мОм; SMD; 6Вт; ±1%; -65÷170°C; 3000шт.
Резистор: шунт; 1мОм; SMD; 6Вт; ±1%; -65÷170°C; 3000шт.

15,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201

8,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 125А; Полюси: 2
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 125А; Полюси: 2

2383,43 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Кількість полюсів:
2
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 3,01кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 3,01кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
41нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO263