Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 250В; 36,3А; 125Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SUP10250E-GE3
196,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SUP10250E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 88нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 32,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 36,3А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 33кОм; 0805; 130мВт; ±1%; RT; 2x1,25x0,5мм
Резистор: thin film; 33кОм; 0805; 130мВт; ±1%; RT; 2x1,25x0,5мм

0,39 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
33кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 82кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 82кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

50,68 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPST-NO; 20А; 16A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 9ВDC; SPST-NO; 20А; 16A/250ВAC

121,01 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
13,5В DC
Макс. струм контактів:
20А
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3,4; 0,3м; вилка; 30ВDC; 4А; Жили: 3
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3,4; 0,3м; вилка; 30ВDC; 4А; Жили: 3

1219,59 грн

Довжина кабелю:
0,3м
Індикація:
LED
Кількість діодів:
2
Кількість пін:
3; 4
Недоступний
Резистор: thin film; 189Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 189Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: дротяний; 220мОм; цементний; THT; 20Вт; ±5%; Ш0,8x35мм
Резистор: дротяний; 220мОм; цементний; THT; 20Вт; ±5%; Ш0,8x35мм

34,21 грн

Вид резистора:
цементний
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
0,22Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 5,36кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 5,36кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10А; Idm: 32А; 25Вт; TO220FP

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 11А; Idm: 44А; 160Вт; TO220-3

261,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 280В; 85А; 430Вт

243,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
GC (TO247AD); TO247AD
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; польовий; 650В; 60А; Idm: 350А

454,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
183нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 20А; Idm: 100А

166,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 40А; TO247PLUS

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247PLUS
Монтаж:
THT