Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,1А; Idm: 50А

Немає в наявності
Код товару: SI4202DY-T1-GE3
22,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4202DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,6Вт
Струм стока: 12,1А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: AC/DC; 36Вт; Uвх: 90÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 12ВDC
Перетворювач: AC/DC; 36Вт; Uвх: 90÷264ВAC,120÷370ВDC; Uвих: 12ВDC

1000,38 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
90...264В AC; 120...370В DC
Електричне під'єднування:
THT
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 300мВт,400мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 300мВт,400мВт; ±1%; -55÷155°C

1,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 316кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 316кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5мА; IPAK; туба; Ifsm: 38А
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5мА; IPAK; туба; Ifsm: 38А

50,05 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
IPAK
Недоступний
Запобіжник: плавка; 68мм; автомобільний; гвинт М8; 100А; 32ВDC
Запобіжник: плавка; 68мм; автомобільний; гвинт М8; 100А; 32ВDC

166,62 грн

Виводи:
кільцеві M8
Вид запобіжника:
автомобільний
Кількість в наборі/упаковці:
5шт.
Колір:
жовтий
Недоступний
Резистор: thick film; 576Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 576Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Блок живлення: імпульсний; LED; 240,1Вт; 172÷343ВDC; 700мА; IP67
Блок живлення: імпульсний; LED; 240,1Вт; 172÷343ВDC; 700мА; IP67

2479,10 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
172...343В DC
Вихідний струм:
0,7А
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK