Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 14,5А; Idm: 50А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI4686DY-T1-E3
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4686DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5,2Вт
Струм стока: 14,5А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 0,3А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 0,3А

53,85 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,2В; 1,8В
Вихідний струм:
0,3А
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Реактор: феритовий; SMD; 1812; 1мГн; 55мА; R: 32Ом; ±10%; -55÷125°C
Реактор: феритовий; SMD; 1812; 1мГн; 55мА; R: 32Ом; ±10%; -55÷125°C

19,77 грн

Високосортність:
30
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Індуктивність:
1мГн
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 333мВт; ±1%; SR73; -55÷150°C
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 1206; 333мВт; ±1%; SR73; -55÷150°C

2,26 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,1А; 104Вт; TO252

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD