1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 162А; 57Вт

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 162А; 57Вт
Немає в наявності
Код товару: SISS52DN-T1-GE3
28,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SISS52DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -12...16В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 57Вт
Струм стока: 162А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 20ВDC; SMD; A; 1206; ±10%; 293D
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 20ВDC; SMD; A; 1206; ±10%; 293D

5,96 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Корпус:
A
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12 ALTW; IP68; метал; код A; 1,5А; 12мм2; 4м
Кабель: до датчиків; M12 ALTW; IP68; метал; код A; 1,5А; 12мм2; 4м

2193,36 грн

Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Клас герметичності:
IP68
Конструкція кабелю/переходу:
з обох сторін; М12 "папа"
Недоступний
Резистор: thin film; 4,12кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 4,12кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1812

9,44 грн

Alias:
KGM43AR71H104KV
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Лабораторний блок живлення: стандартний; 0÷30ВDC; 0÷10А; 0÷30ВDC
Лабораторний блок живлення: стандартний; 0÷30ВDC; 0÷10А; 0÷30ВDC

44879,05 грн

Вид блоку живлення:
багатоканальний; регульований
Вид вжитого дисплея:
LED
Вихідна напруга:
0...30В DC
Вихідна напруга 2:
0...30В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 3кОм; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
3кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U

125,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,7нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323

2,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT323