Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 2,25А; Idm: 9А

Немає в наявності
Код товару: SQA470EJ-T1_GE3
11,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQA470EJ-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 6нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 13,6Вт
Струм стока: 2,25А
Струм стоку в імпульсі: 9А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: відстані; лазерний; на відбиття; Дальність: 100мм÷1м; IP67
Датчик: відстані; лазерний; на відбиття; Дальність: 100мм÷1м; IP67

137396,27 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.
Вид датчика:
лазерний
Дальність:
0,1...1м
Зовнішні розміри:
26x74x55мм
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 5,1Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 11кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 50ВDC; Ø10x12,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 50ВDC; Ø10x12,5мм; ±20%

22,17 грн

Висота:
12,5мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; PS; 50В
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; PS; 50В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 48,7Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 48,7Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В

1,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Провід; ELITRONIC® LIYY; LiYY; 5x0,14мм2; неекранований; 250В; Cu
Провід; ELITRONIC® LIYY; LiYY; 5x0,14мм2; неекранований; 250В; Cu

38,65 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
LiYY
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD