Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 202А; 130Вт

Немає в наявності
Код товару: SQJ120EP-T1_GE3
30,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQJ120EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: 202А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вольтметр; цифровий,монтажний; 0÷60мВ; панельний; LED; 5 цифр
Вольтметр; цифровий,монтажний; 0÷60мВ; панельний; LED; 5 цифр

5874,94 грн

Вид вжитого дисплея:
LED
Вимір:
напруги DC
Висота знаку:
14мм
Вихід:
вихід типу OC x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; PS; 200В

0,86 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 61; прямий; затискання
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 61; прямий; затискання

19465,31 грн

Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
61
Просторова орієнтація:
прямий
Роз’єм:
вилка
Connector: IDC; male; data; PIN: 30; angled; 2.54mm; Type: shrouded
Connector: IDC; male; data; PIN: 30; angled; 2.54mm; Type: shrouded

148,25 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
3,048мм
Кількість пін:
30
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,65x0,95x0,5мм
Недоступний
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; затискання; CuZn
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; затискання; CuZn

41,18 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
CuZn
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD