Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 25А; Idm: 60А; 5Вт
Brand: VISHAY
SKU: SI7892BDP-T1-GE3
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 25А; Idm: 60А; 5Вт

Немає в наявності

Код товару: SI7892BDP-T1-GE3

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SI7892BDP-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

40нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

5,7мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

5Вт

Струм стока:

25А

Струм стоку в імпульсі:

60А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Бажані

Patch cord; U/UTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 1м; OFC; ПВХ

98,83 грн

Будова екрану:
неекранований

Вид жили:
OFC

Вид кабелю:
U/UTP

Довжина кабелю:
1м

Бажані

Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; 630В

76,03 грн

Connector family:
роз'єм живлення

Висота:
12мм

Довжина:
8,57мм

Електричний монтаж:
THT

Бажані

Стрічковий кабель із з'єднаннями IDC; Р.стрічки: 1мм; 0,6м

108,97 грн

Будова екрану:
неекранований

Довжина кабелю:
0,6м

Колір ізоляції:
сірий

Модель:
із затиском стрічки

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 1,54кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Імпульсна макс. напруга:
100В

Корпус - дюйм:
0402

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-25В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 3,8Вт; D2PAK

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; 39Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 160А; 135Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
DPAK

Бажані

20В; U-DFN2030-6; Канал: збагачений

9,82 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
37нКл

Корпус:
U-DFN2030-6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В