1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 30А; Idm: 90А; 11Вт

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 30А; Idm: 90А; 11Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIRA28BDP-T1-GE3
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIRA28BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 11Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
56пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 392Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 392Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В

2,12 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,1пФ
Роз’єм: круглі; гніздо; промислова; прямий; паяння; позолочений
Роз’єм: круглі; гніздо; промислова; прямий; паяння; позолочений

4372,79 грн

Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
паяння
Матеріал контакту:
сплав міді
Покриття контакту:
позолочений
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 237÷263В; 1,8А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 237÷263В; 1,8А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMB

12,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
214В
Корпус:
SMB
Недоступний
Резистор: thick film; 3,92кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 3,92кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U

125,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,7нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323

2,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT323