Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 45А; Idm: 400А

Немає в наявності
Код товару: SIRA60DP-T1-UE3
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIRA60DP-T1-UE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 83нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 940мкОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 57Вт
Струм стока: 45А
Струм стоку в імпульсі: 400А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: TLC5949PWPR; 3,3ВDC,5ВDC
Click board; макетна плата; Комп: TLC5949PWPR; 3,3ВDC,5ВDC

1221,49 грн

Вид модуля:
контролер сервомеханізмів
Властивості аксесуарів для пускових комплектів:
ClickID
Інтерфейс:
PWM; SPI
Компоненти:
TLC5949PWPR
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 44,4В; 23,2А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 44,4В; 23,2А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

123,54 грн

Зворотна напруга макс.:
40В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
M40; 1.5; IP68; brass; HSK-M-PVDF; Cable gland: cable
M40; 1.5; IP68; brass; HSK-M-PVDF; Cable gland: cable

2124,31 грн

Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
15мм
Зовнішній діаметр проводу:
20...26мм
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Кристал; 26МГц; 9,8пФ; ±20ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм; -40÷85°C
Кристал; 26МГц; 9,8пФ; ±20ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм; -40÷85°C

3,61 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
9,8пФ
Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
3,2x2,5x0,7мм
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷300А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷300А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

2270,66 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Довжина шкали:
41мм
Провід; EcoWire®; EcoGen®,HookUp Wire; тросик; Cu; 24AWG; MPPE
Провід; EcoWire®; EcoGen®,HookUp Wire; тросик; Cu; 24AWG; MPPE

1320,96 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
EcoGen®; HookUp Wire
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12А; 2,5Вт; SO8

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; Idm: 130А; 25Вт; QFN3X3

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
22нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; Idm: 8А; 80Вт; D2PAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 73А; 70Вт; DPAK

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 45Вт; PDFN56U

125,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PDFN56U
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,6А; Idm: 16А; 1,1Вт; SOT23-3

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,7нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323

2,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT323