Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 62А; Idm: 298А

Немає в наявності
Код товару: SQS124ELNW-T1_GE3
21,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS124ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 79Вт
Струм стока: 62А
Струм стоку в імпульсі: 298А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M12; 5м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M12; 5м; IP67

1535,10 грн

Дальність:
0...8мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NPN / NO
Недоступний
Резистор: thin film; 619Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 619Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thick film; 806Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В
Резистор: thick film; 806Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В

2,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 24; SEK; angled; 1A; THT; 2x12
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 24; SEK; angled; 1A; THT; 2x12

114,67 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
SEK-18 SV MA STD ANG29 RLG 24P PL3
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,9мм
Резистор: thick film; 10МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100мВт; Uвх: 2,9÷3,6ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP4
Перетворювач: DC/DC; 100мВт; Uвх: 2,9÷3,6ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP4

274,96 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
30,3мА
Вхідна напруга:
2,9...3,6В DC
Зовнішні розміри:
11,5x9,8x6,8мм
Провід; ÖLFLEX® HEAT 125 SC; 1x16мм2; тросик; Cu; чорний; CPR: Dca
Провід; ÖLFLEX® HEAT 125 SC; 1x16мм2; тросик; Cu; чорний; CPR: Dca

547,39 грн

Bластивості проводів:
низьке виділення диму; сертифікат DNV
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 80Вт; DPAK

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
4нКл
Корпус:
PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 2,1Вт; SO8

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
124нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 36А; 25Вт; TO252

21,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 11Вт; DFN3x3 EP

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD