1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 8А; 3Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 8А; 3Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: SQ2348CES-T1_GE3
8,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQ2348CES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 8,15нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 24мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: 8А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 13кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 13кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 10нФ; 1,5кВDC; 300ВAC; THT; ±20%
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 10нФ; 1,5кВDC; 300ВAC; THT; ±20%

26,61 грн

Вид конденсатора:
Y2
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±20%
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; макс.250ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; макс.250ВAC; THT

46,88 грн

Зовнішні розміри:
18,4x10,2x15,5мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgSnO
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC; SMD
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC; SMD

54,49 грн

Кількість пін:
10
Конструкція:
одна обмотка
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. напруга котушки:
24В DC
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В

2,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 768кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 768кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
768кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,5А; Idm: 1А; 0,4Вт; SOT23-3

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 2,1А; Idm: 7А; 500мВт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PICOSTAR3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; 480мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,7А; SO8

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 59А; Idm: 360А; 44,6Вт; PDFN56

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
PDFN56
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5А; Idm: 30А; 1,1Вт; TSOT26

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TSOT26